大联大旗下世平推出基于安森美（onsemi）NTBG022N120M3S和NCD57084产品的电动汽车（EV）充电桩方案。

(资料图片)

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随着电动汽车在全球的渗透率逐渐提升，充电桩的需求也大幅激增。然而由于EV充电桩的用电量动辄高达数百KW，因此要格外注意用电的品质及效率，否则势必会造成电力供应问题。在这种情势下，大联大世平基于安森美（onsemi）NTBG022N120M3S SiC MOSFET和NCD57084隔离驱动IC推出电动汽车（EV）充电桩方案，可适用于600V~900VDC（Max）及6KW输出的EV充电桩产品。

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NTBG022N120M3S是onsemi旗下1200V SiC MOSFET，其针对快速开关应用进行优化，Rds_on（Max）为30mohm@18V（Vgs），栅极电荷Qg(tot)为151nC、容抗Coss为146 pF，该器件适合应用在高电压、大电流及高速切换的操作条件，Vgs（闸源极）最大电压范围为-10V-至+22V，凭借这些特性，使得该产品能够在开关操作中具有低功耗、高效率和高温稳定性。

NCD57084是一款高电流单通道IGBT栅极驱动器，具有2.5kVrms内部电流隔离，专为高功率应用而设计，具有高系统效率和可靠性。该驱动器采用SOIC-8封装，具有软关断和故障报告检测功能。此外，该产品还具有低输出阻抗，可用于增强型IGBT驱动，提供3.3V至20V宽输入偏置电压范围和信号电平，以及高达30V的宽输出偏置电压范围，支持+7A/-7A高峰值输出电流。不仅如此，该器件传播延迟时间短，可以做到精准匹配，并且UVLO阈值小，能够实现偏置灵活性。

除此之外，方案中还配备高效率辅助电源及DC-DC转换器，可进一步提升EV充电桩的充电效率及可靠性。

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在汽车电动化的热潮下，EV充电桩也将迎来黄金发展时期，对此大联大世平将结合自身丰富的技术经验与onsemi共同加深方案整合能力，为电动汽车发展赋能。

核心技术优势：
 NTBG022N120M3S（1200V，SiC MOSFET）onsemi第三代半导体碳化硅MOSFET：
 1200V SiC MOSFET；
 Rds_on（Max）=30mohm@18V（Vgs）；
 Gate Charge Qg（tot）=151nC；
 容抗Coss=146pF，适合应用在高电压，大电流及高速切换等操作条件；
 Vgs（闸源极）最大电压范围为-10V至+22V；
 建议Vgs sop操作电压-3V至+18V。

 NCD57084 onsemi IGBT隔离驱动IC：
 具有可程式设计延迟的DESAT保护；
 负电压（低至-9V）能力，适用于DESAT；
 短路期间的IGBT栅极箝位；
 IGBT栅极有源下拉；
 IGBT短路期间软关断；
 严格的UVLO准位，实现偏差Bias灵活性；
 UVLO/DESAT期间的输出部分脉冲回避（重新启动）；
 3.3V、5V和15V逻辑电压准位输入；
 2.5kVrms电压；
 高瞬态抗扰度；
 高电磁抗扰度。
 高效率辅助电源及DC-DC转换器：
 在此开发板中，一次侧驱动电路是由外部电源提供，规格为12V/1A，二次侧由NCV3064 IC组成高效率辅助电源，提供+12V至+18V，-3.5VDC电压供驱动电路使用。

方案规格：
 输入电压：600V to 800VDC（最大可允许900VDC）；
 输出功率：6KW；
 输出电压：600V；
 输出电流：10A；
 操作频率：50KHZ。